发明名称 | 光电元件粗化结构、粗化表面、粗化层及其制造方法 | ||
摘要 | 本发明提供光电元件粗化结构、粗化表面、粗化层及其制造方法。本发明提供一种具有双重尺度粗化结构的光电元件,其在光电元件的半导体层外延过程中,通过高浓度掺杂杂质,以使此半导体层成长出多个岛体。随后,降低外延温度以持续在多个岛体上形成多个针孔,其中针孔分布于岛体的顶部与侧面,可大幅降低光线在光电元件内部的全反射率,进而增加光电元件的光强表现。而和传统技术相比较而言,本发明提出的工艺具有低污染、工艺简单、成本低廉、光取出效率更佳、双重尺度出光面的有效面积较大等等优势。 | ||
申请公布号 | CN101640235A | 申请公布日期 | 2010.02.03 |
申请号 | CN200810134490.9 | 申请日期 | 2008.07.30 |
申请人 | 先进开发光电股份有限公司 | 发明人 | 叶颖超;黄世晟;涂博闵;林文禹;吴芃逸;詹世雄 |
分类号 | H01L33/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2006.01)I |
代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 陈 晨 |
主权项 | 1.一种光电元件粗化结构,包含:多个岛体,分布于该光电元件的半导体层上;以及多个针孔,分布于该多个岛体的顶部与侧面。 | ||
地址 | 中国台湾新竹县 |