| 发明名称 | 一种锡硫化物薄膜太阳电池 | ||
| 摘要 | 一种锡硫化物薄膜太阳电池，包括导电玻璃/金属栅电极和金属背电极，其特征是在导电玻璃/金属栅电极和金属背电极之间有构成单结或多结的n-SnS<sub>2</sub>或其复合物薄膜以及p-SnS或其复合物薄膜。所述的复合物是指对二硫化锡(n-SnS<sub>2</sub>)和硫化亚锡(p-SnS)进行掺杂得到的锡硫化物。本太阳电池原料来源丰富，安全环保，加工方便，利用SnS<sub>2</sub>和SnS组成元素相同、导电类型不同，容易实现能隙匹配、异质结过渡和载流子良好的输运特性，辅之金属锡等电极，有效地解决好载流子的收集问题。 | ||
| 申请公布号 | CN100587977C | 申请公布日期 | 2010.02.03 |
| 申请号 | CN200810156817.2 | 申请日期 | 2008.09.26 |
| 申请人 | 合肥工业大学 | 发明人 | 史成武;李兵;梁齐;吴玉程;王岩 |
| 分类号 | H01L31/06(2006.01)I;H01L31/032(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 安徽省合肥新安专利代理有限责任公司 | 代理人 | 吴启运 |
| 主权项 | 1、一种锡硫化物薄膜太阳电池，包括导电玻璃/金属栅电极和金属背电极，其特征在于：在导电玻璃/金属栅电极和金属背电极之间有n-SnS2复合物薄膜/p-SnS复合物薄膜或者p-SnS复合物薄膜/n-SnS2复合物薄膜；所述的n-SnS2复合物薄膜掺杂元素选自锑或铋或锡或铜或氟或硒；所述的p-SnS复合物薄膜掺杂元素选自锑或铋或锡或铜或氟或硒；掺杂量以四氯化锡或氯化亚锡同掺杂元素相应化合物物质的质量比计，为1∶0.001～0.02。 | ||
| 地址 | 230009安徽省合肥市屯溪路193号 | ||