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发明名称 Integrated circuits having adjacent regions having shallow trench isolation structures without liner layers therein therebetween and methods of forming same
摘要
申请公布号 EP1487011(B1) 申请公布日期 2010.02.03
申请号 EP20040020046 申请日期 2001.12.04
申请人 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. 发明人 OH, YONG-CHUL;JIN, GYO-YOUNG
分类号 H01L21/76;H01L21/762;H01L21/8234;H01L21/8242;H01L27/08;H01L27/10;H01L27/108 主分类号 H01L21/76
代理机构 代理人
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