一种SON型金属氧化物半导体场效应管器件的制备方法

摘要

本发明公开了一种SON型金属氧化物半导体场效应管器件的制备方法，其包含步骤：利用温度为200～250℃的氖离子二次不同能量大束流低温注入，先形成两层气泡带，进行退火处理后在有源区下面形成空洞层；去除浅槽隔离(STI)上的氮化硅侧墙，用常规CMOS工艺制作MOSFET器件。本发明由于采用了低剂量氖离子注入，能产生更高密度的气泡，并采取两次不同能量低温注入形成两层气泡带，退火后这两层气泡带相互作用合并成为高致密度单层空洞，由此形成带有散热通道的超浅结SON器件结构，其工艺简单，成本低廉，其大部分步骤采用常规CMOS工艺完成，便于大规模集成电路工业生产，并且降低了生产成本。

主权项

1、一种SON型金属氧化物半导体场效应管器件的制备方法，其包含以下步骤：A、在P型硅衬底上热氧化生成二氧化硅掩蔽层，淀积氮化硅作为化学机械抛光停止层，光刻后形成浅槽隔离绝缘层窗口；B、淀积填充二氧化硅，化学机械抛光到氮化硅层停止；C、漂洗氮化硅，得到浅槽隔离绝缘层二氧化硅；D、在浅槽隔离绝缘层上淀积氮化硅；E、对淀积的氮化硅层进行大面积回刻，即只在垂直面进行刻蚀，没有水平面的横向刻蚀；F、利用不同能量的束流为60～200μA cm-2、温度为200～250℃的氖离子进行二次注入，形成两层气泡带，之后进行高温退火处理，同时使所述两层气泡带合并长大，在有源区下面形成单层空洞层；所述高温退火的过程包括：F1、在快速立式退火炉中，以500℃保温30分钟，退火在含2％～10％氢气的氢气/氮气混合气氛中进行；F2、以100℃/分升温速率快速升到1100～1200℃，退火在含2％～10％氢气的氢气/氮气混合气氛中进行；G、去除氮化硅侧墙，用常规CMOS工艺制作MOSFET器件。