一种多晶硅刻蚀腔室中陶瓷材料零件表面的清洗方法

摘要

本发明所述的多晶硅刻蚀腔室中陶瓷材料零件表面的清洗方法，在清洗过程中采用有机溶剂、碱性溶液、酸性溶液和超纯水对零部件进行清洗，可以有效的去除附着于多晶硅刻蚀腔室中陶瓷材料零件表面的聚合物，且步骤简单方便，清洗效果理想，而且不会对多晶硅刻蚀腔室中陶瓷材料零件造成损伤。应用此方法对半导体工艺一段时间后的多晶硅刻蚀腔室中陶瓷材料零件清洗后，多晶硅刻蚀腔室中陶瓷材料零件表面的污染物完全被除去，且多晶硅刻蚀腔室中陶瓷材料零件表面没有遭到损伤，清洗后的多晶硅刻蚀腔室中陶瓷材料零件完全满足正常工艺的要求，清洗方法完全达到良好的污染物去除效果。

主权项

1、一种多晶硅刻蚀腔室中陶瓷材料零件表面的清洗方法，其特征在于，包括以下过程：A、用有机溶剂清洗零件表面；B、用碱性溶液与酸性溶液不分顺序依次清洗零件表面；C、将零件放入超声槽中，清洗设定的超声波清洗时间，进行超声波清洗；所述过程B在清洗过程中还包括下述过程至少一次：用体积含量比为2％～20％的氢氧化四甲基氨TMAH水溶液擦拭、浸泡或喷淋零件表面，不超过设定的TMAH水溶液清洗时间。