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发明名称
Transistor structure with high input impedance and high current capability and manufacturing process thereof
摘要
申请公布号
EP1791181(B1)
申请公布日期
2010.02.03
申请号
EP20050425835
申请日期
2005.11.25
申请人
STMICROELECTRONICS S.R.L.
发明人
PELLIZZER, FABIO;CAPPELLETTI, PAOLO GIUSEPPE
分类号
H01L27/07;H01L21/8249;H01L27/24
主分类号
H01L27/07
代理机构
代理人
主权项
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