发明名称 Transistor structure with high input impedance and high current capability and manufacturing process thereof
摘要
申请公布号 EP1791181(B1) 申请公布日期 2010.02.03
申请号 EP20050425835 申请日期 2005.11.25
申请人 STMICROELECTRONICS S.R.L. 发明人 PELLIZZER, FABIO;CAPPELLETTI, PAOLO GIUSEPPE
分类号 H01L27/07;H01L21/8249;H01L27/24 主分类号 H01L27/07
代理机构 代理人
主权项
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