| 发明名称 | 电子器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种电子器件及其制造方法。该电子器件包括第一互连层和第二互连层。该第二互连层配备在该第一互连层的下表面上。该第一互连层包括通路插塞(第一导电插塞)。该第二互连层一侧上的通路插塞的端面小于相对端面。该通路插塞暴露在与该第二互连层相对的第一互连层的表面上。形成该第一互连层的绝缘树脂的热分解温度高于形成该第二互连层的绝缘树脂的热分解温度。 | ||
| 申请公布号 | CN100587929C | 申请公布日期 | 2010.02.03 |
| 申请号 | CN200710149970.8 | 申请日期 | 2007.10.08 |
| 申请人 | 恩益禧电子股份有限公司 | 发明人 | 栗田洋一郎;副岛康志;川野连也 |
| 分类号 | H01L21/48(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L23/498(2006.01)I;H01L23/538(2006.01)I;H05K3/46(2006.01)I;H05K1/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/48(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 关兆辉;陆锦华 |
| 主权项 | 1.一种制造电子器件的方法，包括：在支撑衬底上形成包括第一导电插塞的第一互连层；将电子元件安装在所述第一互连层上；在所述第一互连层上形成封装树脂，以便覆盖所述电子元件；去除所述支撑衬底，以便暴露出所述第一导电插塞；以及在去除所述支撑衬底之后，与所述第一互连层的初始配备了所述支撑衬底的表面相接触地形成第二互连层。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||