| 发明名称 | 一种集成电感 | ||
| 摘要 | 本发明揭露了一种集成电感，包括衬底、形成于衬底上的绝缘隔离层以及制作于绝缘隔离层上的电感线圈。本发明所提供的集成电感，通过在衬底中形成至少一个位于电感线圈下方的掺杂类型与衬底的掺杂类型相反的掺杂深阱，进而在衬底内形成了PN结，有效的阻断了在衬底中以及衬底表面的区域产生的感应电流，从而降低了衬底能量损耗，提高了电感Q值。 | ||
| 申请公布号 | CN101640196A | 申请公布日期 | 2010.02.03 |
| 申请号 | CN200910194583.5 | 申请日期 | 2009.08.25 |
| 申请人 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 孔蔚然 |
| 分类号 | H01L27/01(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/01(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人 | 郑 玮 |
| 主权项 | 1、一种集成电感，包括衬底、形成于衬底上的绝缘隔离层以及制作于绝缘隔离层上的电感线圈，其特征在于，在所述衬底中形成有至少一个位于电感线圈下方的掺杂类型与所述衬底的掺杂类型相反的掺杂深阱。 | ||
| 地址 | 201203上海市张江高科技圆区郭守敬路818号 | ||