一种微纳间隙电极的制作方法

摘要

本发明公开了一种微纳间隙电极的制作方法，该方法包括电极图形设计及电极制作；首先设计各电极间隙尺寸在1.2～2.8微米；电极图形为叉指形、锯齿形、方对尖形、方对方形及尖对平形；每单元为5800微米×5800微米，划片槽宽度为100微米，单元各沿边小正方形为金属层，作为电极引出图形，4英寸硅片上设置184个相同单元；然后采用电子束制版，用标准工艺方法对P型100硅片进行清洗、光刻，采用阴版正胶，进行等离子刻蚀，再进行氧化，生长的二氧化硅厚度为1.1μm；电极间隙在纳米级或深亚微米级。本发明制得的电极敏感材料分布规律有序，分布区域十分均匀，适用于需要纳米结构电极间隙的传感器探头。

主权项

1、一种微纳间隙电极的制作方法，其特征在于该方法包括以下具体步骤：a)电极图形设计设计各电极间隙尺寸在1.2～2.8微米；电极图形为叉指形、锯齿形、方对尖形、方对方形及尖对平形；每单元为5800微米×5800微米，划片槽宽度为100微米，对角设置十字对准标记，长宽各为50微米，单元各沿边小正方形为金属层，作为电极引出图形，大小为500微米×500微米，中间各图形，电极及电极间隙整体排列，分为长方形类排列和正方形类排列：长方形类排列中，间隙尺寸为2.8微米、2.4微米、2微米或1.8微米的，整体排列大小为220微米×330微米，其上覆盖有金属层，大小为220微米×350微米；间隙尺寸为1.6微米、1.4微米或1.2微米的，整体排列大小为200微米×400微米，其上覆盖有金属层，大小为220×420微米；正方形类排列中，间隙尺寸在1.2～2.8微米的，整体排列大小为350微米×350微米，其上覆盖有金属层，大小为380微米×380微米；4英寸硅片上设置184个相同单元，用于4英寸及4英寸以下硅片的光刻；b)电极制作采用电子束制版；用美国无线电公司(RCA)标准工艺方法对4英寸、3英寸或2英寸P型100硅片进行清洗，然后对硅片进行光刻，采用阴版正胶，进行等离子刻蚀，刻蚀深度为10微米，然后进行氧化，其工艺条件：炉温：1180℃氧气流量500ml/min，氧化时间：先干氧氧化10分钟，再湿氧氧化50分钟，最后再干氧氧化10分钟，所生长的二氧化硅的厚度为1.1μm；电极间隙在纳米级或深亚微米级。