氧化硅膜的形成方法及半导体装置的制造方法

摘要

在由具有多个缝隙的平面天线将微波导入处理室内而产生等离子体的RLSA方式的等离子体处理装置(100)中，使得腔室内压力为67～667Pa、温度为300～600℃以下、微波功率为1000～3500W、作为处理气体而使用100～2000mL/min的Ar气体、1～500mL/min的O₂气体、并且将处理气体中的O₂气体相对Ar气体的比例控制为0.5～5％，同时进行多晶硅的氧化。

主权项

1.一种氧化膜的形成方法，其特征在于：是一种至少具有多晶硅层和形成在该多晶硅层上的氧化膜的基板中的、所述氧化膜的形成方法，包括如下工序，以比等离子体氧化基板时的压力高的压力进行升温的工序；在腔室内，使氧气相对于稀有气体的比例为0.5～2.5％地进行供给，由具有多个缝隙的平面天线将微波导入，产生所述稀有气体和氧气的等离子体，利用所述等离子体对所述多晶硅层实施等离子体氧化，在所述多晶硅层的表面形成氧化膜。