发明名称 固体摄像器件及其制造方法以及摄像装置
摘要 本发明提供了一种固体摄像器件及其制造方法以及包括该固体摄像器件的摄像装置。所述固体摄像器件在半导体基板中包括:设有对入射光进行光电转换以得到电信号的光电转换部的像素部,以及设在像素部周围的周边电路部,其中周边电路部中的MOS晶体管的栅极绝缘膜由氮氧化硅膜构成,像素部中的MOS晶体管的栅极绝缘膜由氮氧化硅膜构成,并且在像素部中的光电转换部的正上方设有氧化物膜。本发明可以防止隧道电流的产生,从而改善周边电路部和像素部的晶体管特性。而且,由于可以防止因光电转换部中的固定电荷所致的白色缺陷和暗电流的恶化,所以优点在于改善了图像质量。
申请公布号 CN101640210A 申请公布日期 2010.02.03
申请号 CN200910162578.6 申请日期 2009.08.03
申请人 索尼株式会社 发明人 松本拓治;田谷圭司;舘下八州志;糸长总一郎
分类号 H01L27/146(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/51(2006.01)I;H01L21/822(2006.01)I;H04N5/335(2006.01)I;H04N5/225(2006.01)I 主分类号 H01L27/146(2006.01)I
代理机构 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 代理人 褚海英;武玉琴
主权项 1.一种固体摄像器件,其在半导体基板中包括:像素部,其设有对入射光进行光电转换以得到电信号的光电转换部;以及周边电路部,其设在所述像素部周围,其中,所述周边电路部中的MOS晶体管的栅极绝缘膜由氮氧化硅膜构成,所述像素部中的MOS晶体管的栅极绝缘膜由氮氧化硅膜构成,并且在所述像素部中的所述光电转换部的正上方设有氧化物膜。
地址 日本东京