| 发明名称 | 纳米结构和纳米线的制造方法及由其制造的器件 | ||
| 摘要 | 本发明涉及纳米结构和纳米线的制造方法及由其制造的器件。一维纳米结构具有小于约200nm的均匀直径。这些发明的纳米结构，我们称之为“纳米线”，包括至少两种单晶材料的单晶同质结构和异质结构，所述单晶材料具有不同化学成分。由于单晶材料用于形成异质结构，因此得到的异质结构将也是单晶的。该纳米线异质结构一般基于半导电线，其中在纵向或径向、或者在这两个方向控制掺杂剂和成分，以便制造包括不同材料的线。得到的纳米线异质结构的例子包括纵向异质结构纳米线(LOHN)和同轴异质结构纳米线(COHN)。 | ||
| 申请公布号 | CN101638216A | 申请公布日期 | 2010.02.03 |
| 申请号 | CN200910168694.9 | 申请日期 | 2002.03.29 |
| 申请人 | 加利福尼亚大学董事会 | 发明人 | A·马亚姆达;A·沙科里;T·D·桑德斯;P·杨;S·S·毛;R·E·拉索;H·费克;H·金德;E·R·韦伯;M·黄;H·严;Y·吴;R·范 |
| 分类号 | B82B1/00(2006.01)I | 主分类号 | B82B1/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 丁 艺;沙 捷 |
| 主权项 | 1、一种纳米线，包括：第一材料的芯，至少部分地被成分不同的材料的套管包围；其中所述纳米线被配置成是从具有基本上单分散分布直径的纳米线的群体选择的；其中在群体内的直径分布少于或等于约50％rms。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||