光子晶体激光器及其制造方法

摘要

一种光子晶体激光器(100)，包括n型衬底(111)、n型覆层(112)、有源层(113)、p型覆层(116)、光子晶体层(115)、p型电极(118)、n型电极(119)以及封装构件(120)。n型覆层(112)形成在n型衬底(111)的第一表面(111a)上。有源层(113)形成在n型覆层(112)上。p型覆层(116)形成在有源层(113)上。光子晶体层(115)形成在n型覆层(112)与有源层(113)之间或有源层(113)与p型覆层(116)之间，并包括光子晶体部(115a)。p型电极(118)形成在光子晶体部(115a)上。n型电极(119)形成在第二表面(111b)上，并包括布置在与光子晶体部(115a)相对的位置上的透光部(119a)和具有比透光部(119a)低的透光率的外周部(119b)。

主权项

1.一种光子晶体激光器(100，200)，包括：导电的n型衬底(111)，其包括第一表面(111a)和与所述第一表面(111a)相反的第二表面(111b)；n型覆层(112)，其形成在所述n型衬底(111)的所述第一表面(111a)上；有源层(113)，其形成在所述n型覆层(112)上，用于发射光；p型覆层(116)，其形成在所述有源层(113)上；光子晶体层(115)，其形成在所述n型覆层(112)与所述有源层(113)之间或在所述有源层(113)与所述p型覆层(116)之间，并包括具有光子晶体结构的光子晶体部(115a)；p型电极(118)，其形成在所述光子晶体部(115a)上；n型电极(119)，其形成在所述n型衬底(111)的所述第二表面(111b)上并且包括透光部(119a)和外周部(119b)，其中所述透光部(119a)布置在与所述光子晶体部(115a)相对的位置上，所述外周部(119b)相比于所述透光部(119a)对于所述光具有更低的透射率；以及封装构件(120)，其形成在所述p型电极(118)上。