发明名称 |
具有自增益的日盲型AlGaN紫外探测器及其制备方法 |
摘要 |
本发明涉及一种具有自增益的日盲型AlGaN紫外探测器及其制备方法,属于半导体器件技术领域。所述探测器包括蓝宝石衬底,以及在所述蓝宝石衬底上依次排列生长的AlN缓冲层、n型Al<sub>0.65</sub>Ga<sub>0.35</sub>N层、i型Al<sub>0.45</sub>Ga<sub>0.55</sub>N层、p型Al<sub>0.45</sub>Ga<sub>0.55</sub>N层和n型Al<sub>0.45</sub>Ga<sub>0.55</sub>N层,在所述n型Al<sub>0.45</sub>Ga<sub>0.55</sub>N层上设置有第一上电极,在所述n型Al<sub>0.65</sub>Ga<sub>0.35</sub>N层上设置有第二上电极。本发明具有自增益的日盲型AlGaN紫外探测器能够对微弱的光电流信号进行放大,从而实现信号增益,提高器件的响应率。 |
申请公布号 |
CN101640227A |
申请公布日期 |
2010.02.03 |
申请号 |
CN200910306624.5 |
申请日期 |
2009.09.07 |
申请人 |
中国科学院微电子研究所 |
发明人 |
白云;麻芃;刘键;朱杰;饶志鹏;刘新宇 |
分类号 |
H01L31/11(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/11(2006.01)I |
代理机构 |
北京市德权律师事务所 |
代理人 |
王建国 |
主权项 |
1.一种具有自增益的日盲型AlGaN紫外探测器,其特征在于,包括蓝宝石衬底(101),以及在所述蓝宝石衬底(101)上依次排列生长的AlN缓冲层(102)、n型Al0.65Ga0.35N层(103)、i型Al0.45Ga0.55N层(104)、p型Al0.45Ga0.55N层(105)和n型Al0.45Ga0.55N层(106),在所述n型Al0.45Ga0.55N层(106)上设置有第一上电极(107),在所述n型Al0.65Ga0.35N层(103)上设置有第二上电极(108)。 |
地址 |
100029北京市朝阳区北土城西路3号中科院微电子所 |