| 发明名称 | 一种四晶体管SRAM单元制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明揭露了一种四晶体管SRAM单元制造方法，通过在制作晶体管栅极的过程中，利用标准CMOS逻辑工艺现有的沉积无掺杂Poly的步骤，在对应于晶体管的区域沉积无掺杂Poly的同时，也在对应于高阻值负载电阻的区域沉积无掺杂Poly，刻蚀除去多余的Poly以形成晶体管的Poly栅极和高阻值负载电阻，然后再对晶体管的Poly栅极进行掺杂，实现了无需额外沉积一层无掺杂Poly并进行刻蚀以形成高阻值负载电阻的目的，在不影响器件性能的条件下完成了与标准CMOS逻辑工艺的兼容。 | ||
| 申请公布号 | CN101640187A | 申请公布日期 | 2010.02.03 |
| 申请号 | CN200910052809.8 | 申请日期 | 2009.06.09 |
| 申请人 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 胡剑;孔蔚然 |
| 分类号 | H01L21/8244(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/283(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8244(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人 | 郑 玮 |
| 主权项 | 1、一种四晶体管SRAM单元制造方法，所述四晶体管SRAM单元包括四个晶体管和一对高阻值负载电阻，所述晶体管的栅极制作过程包括：在对应于晶体管的区域沉积无掺杂多晶硅并进行刻蚀以形成多晶硅栅极，然后通过离子注入对晶体管的多晶硅栅极进行掺杂，其特征在于，所述方法在对应于晶体管的区域沉积无掺杂多晶硅的同时，也在对应于高阻值负载电阻的区域沉积无掺杂多晶硅。 | ||
| 地址 | 201203上海市张江高科技圆区郭守敬路818号 | ||