用于晶圆片级芯片尺寸封装的再分布层及其方法

摘要

在示范性实施例中，提供了一种将具有电路图形(305)的集成电路器件(IC)封装在晶圆级芯片尺寸(WLCS)封装(300)中的方法。该方法包括在第一电介质层(315)上沉积(5，10，15)金属层，以及对键合焊盘开口(310)和凸点焊盘开口(330)进行填充(20)；金属层(360)具有顶层(340)和底层(360)。在金属层(360)中，通过去除在键合焊盘开口(310)和凸点焊盘开口(330)以外的区域中的顶部金属层，以及将底部金属层保留在没有键合焊盘连接或凸点焊盘连接的区域内，来定义(25，30)键合焊盘连接(310)和凸点焊盘连接(330)。在底部金属层中，定义了(35，40)键合焊盘和凸点焊盘之间的连接走线。在硅衬底(305)上沉积遮盖电路图形的第二有机电介质层(325)。从凸点焊盘连接上去除(50)第二有机电介质层，暴露凸点焊盘(330)。

主权项

1.一种用于制备集成电路器件(IC)的方法，该集成电路器件在硅衬底(305)上具有电路图形，该电路图形具有键合焊盘(310)用于封装在晶圆级芯片尺寸(WLCS)封装中，所述方法包括步骤：在所述硅衬底(305)上沉积(05)第一有机电介质层，覆盖所述IC器件的电路图形；在所述电路图形的键合焊盘(310)上定义(10，15)键合焊盘开口，以及在距第一有机电介质层(315)中的键合焊盘开口预定距离处定义凸点焊盘开口；在第一有机电介质层(315)上沉积(20)金属层，并且填充所述键合焊盘开口和凸点焊盘开口，所述金属层(320)具有顶部金属层(340)和底部金属层(360)；通过去除所述键合焊盘开口和凸点焊盘开口以外区域的顶部金属层(340)，并且保留在不具有键合焊盘或凸点焊盘连接区域的底部金属层(360)，来定义(25，30)键合焊盘连接和凸点焊盘连接；在所述底部金属层(360)中，定义(35，40)从键合焊盘连接至凸点焊盘连接的连接走线(350)；在所述硅衬底(305)上沉积(45)第二有机电介质层(325)，遮盖电路图形；以及去除(50)凸点焊盘连接处的第二有机电介质层(325)，并暴露凸点焊盘连接。