发明名称 |
半导体元件及其制造方法 |
摘要 |
本发明提供一种半导体元件及其制造方法。在半导体元件中,如果在接合垫内产生裂缝,该裂缝不会扩散到半导体元件内。在该半导体元件的表面上设有电极。在该半导体元件的内部形成布线层。导电层与该布线层分离地形成,以形成该电极的表面。由导电材料形成多个柱状构件,它们在布线层与导电层之间延伸且相互邻近地排列。由所述多个柱状构件之间填充的绝缘材料形成绝缘层。框架构件在布线层与导电层之间延伸,以将多个柱状构件和绝缘层包围在一起。 |
申请公布号 |
CN100587947C |
申请公布日期 |
2010.02.03 |
申请号 |
CN200510099898.3 |
申请日期 |
2005.09.09 |
申请人 |
富士通微电子株式会社 |
发明人 |
斋藤仁 |
分类号 |
H01L23/48(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/48(2006.01)I |
代理机构 |
隆天国际知识产权代理有限公司 |
代理人 |
郑小军;郑特强 |
主权项 |
1、一种半导体元件,在其表面上设有电极,该半导体元件包括:布线层,其形成在该半导体元件的内部;导电层,其与该布线层分离地形成,以形成该电极的表面;多个柱状构件,所述柱状构件由导电材料形成,并在所述布线层与导电层之间延伸且相互邻近地排列;绝缘层,其由所述多个柱状构件之间填充的绝缘材料形成;以及框架构件,其在所述布线层与所述导电层之间延伸,以将所述多个柱状构件和所述绝缘层包围在一起,所述框架构件是连续的并且与所述布线层和所述导电层接触。 |
地址 |
日本东京都 |