发明名称 半导体元件及其制造方法
摘要 本发明提供一种半导体元件及其制造方法。在半导体元件中,如果在接合垫内产生裂缝,该裂缝不会扩散到半导体元件内。在该半导体元件的表面上设有电极。在该半导体元件的内部形成布线层。导电层与该布线层分离地形成,以形成该电极的表面。由导电材料形成多个柱状构件,它们在布线层与导电层之间延伸且相互邻近地排列。由所述多个柱状构件之间填充的绝缘材料形成绝缘层。框架构件在布线层与导电层之间延伸,以将多个柱状构件和绝缘层包围在一起。
申请公布号 CN100587947C 申请公布日期 2010.02.03
申请号 CN200510099898.3 申请日期 2005.09.09
申请人 富士通微电子株式会社 发明人 斋藤仁
分类号 H01L23/48(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I 主分类号 H01L23/48(2006.01)I
代理机构 隆天国际知识产权代理有限公司 代理人 郑小军;郑特强
主权项 1、一种半导体元件,在其表面上设有电极,该半导体元件包括:布线层,其形成在该半导体元件的内部;导电层,其与该布线层分离地形成,以形成该电极的表面;多个柱状构件,所述柱状构件由导电材料形成,并在所述布线层与导电层之间延伸且相互邻近地排列;绝缘层,其由所述多个柱状构件之间填充的绝缘材料形成;以及框架构件,其在所述布线层与所述导电层之间延伸,以将所述多个柱状构件和所述绝缘层包围在一起,所述框架构件是连续的并且与所述布线层和所述导电层接触。
地址 日本东京都