| 发明名称 | 半导体存储器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体存储器件及其制造方法，该方法适于使用多晶硅-绝缘体-多晶硅(PIP)工艺制造诸如EEPROM的非易失性存储器。该半导体存储器件包括限定了半导体衬底的隧穿区和读取晶体管区的隔离层，形成在隧穿区和读取晶体管区上和/或上方的下部多晶硅膜，形成在隧穿区中的下部多晶硅膜上和/或上方的介电膜，以及形成在介电膜上和/或上方的上部多晶硅膜。 | ||
| 申请公布号 | CN101640204A | 申请公布日期 | 2010.02.03 |
| 申请号 | CN200910160885.0 | 申请日期 | 2009.07.30 |
| 申请人 | 东部高科股份有限公司 | 发明人 | 高光永 |
| 分类号 | H01L27/115(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/115(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京博浩百睿知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 宋子良;方抗美 |
| 主权项 | 1.一种半导体存储器件，包括：半导体衬底；隔离层，形成在所述半导体衬底中以限定隧穿区和读取晶体管区；下部多晶硅膜，形成在所述隧穿区和所述读取晶体管区中的包括所述隔离层的所述半导体衬底上方；介电膜，形成于在所述隧穿区中形成的部分所述下部多晶硅膜上方；以及上部多晶硅膜，形成在所述介电膜上方。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||