形成集成电路结构的方法

摘要

本发明提供一种形成集成电路结构的方法，包括，形成介电层，于介电层中形成开口，于第一反应室中进行第一沉积步骤以形成晶种层，以及于不同于第一反应室的第二反应室中，进行第一蚀刻步骤以移除晶种层的一部分。本发明通过于沉积步骤中使用再溅镀(re-sputtering)，所形成晶种层的顺应性获得显著地提升。随后进行的蚀刻步骤进一步增加最后晶种层的顺应性。最后所形成的晶种层大抵不具悬凸。晶片的中心部分与边缘部分之间金属线路的不对称现象也获得减小。再者，晶种层可使用多于一反应室来形成，因而不影响工艺的产能。

主权项

1.一种形成集成电路结构的方法，包括：形成一介电层；于该介电层中形成一开口；于一第一反应室中进行一第一沉积步骤以形成一晶种层；以及于一不同于该第一反应室的一第二反应室中，进行一第一蚀刻步骤以移除该晶种层的一部分。