一种金属结构静电驱动MEMS继电器及其制备方法

摘要

一种金属结构静电驱动的MEMS继电器及其制备方法，属于继电器的设计制造技术领域。其特征在于，该继电器为双端固支形结构，分为上活动极板7和下固定极板4，上活动极板简称上极板和下固定极板简称下极板均为金属，可降低接触电阻。上极板开有阻尼孔9，可减小开关时的阻尼效应，同时也利于牺牲层8释放，保证结构完整，可防止出现结构释放时翻转侧倾失效。下极板采用上部绝缘材料层5和下部绝缘材料层3整体包覆，可以有效防止上、下极板接触后导通并保证上极板与衬底绝缘。本发明MEMS继电器具有驱动电压低、负载电流大的特点，在电子信息、工业控制、能源管理、交通、通讯、航空航天和军用领域中应用广泛。

主权项

1.一种金属结构静电驱动MEMS继电器，其特征在于包括：电阻率范围在100至2000·CM的高阻硅衬底，下极板，接触电极和上极板，其中：高阻硅衬底，上端面结构的两侧是台阶，中间是凹槽，在整个上表面上覆盖一层厚度为的SiO₂绝缘层，下极板，从由下到上依次由金属Ti和金属Au溅射组成，位于所述凹槽的所述SiO₂绝缘层上，在所述下极板的外侧包裹一层的Si₃N₄层，该Si₃N₄层和两侧的SiO₂绝缘层间留有间隙，接触电极，从上到下依次由金属Au和金属Ti溅射组成，位于所述两侧台阶的内侧的所述SiO₂绝缘层上，上极板，呈“∏”字形，两个下端面位于所述内侧台阶的两边上，所述上极板由折叠梁和均匀分布于所述折叠梁中的阻尼孔组成，所述折叠梁是由电镀金属Au构成，两个下端面与所述SiO₂绝缘层结合处用金属Ti做过渡层。