发明名称 |
太阳能电池及其制造方法 |
摘要 |
本发明提供一种太阳能电池的制造方法,该方法包括:在半导体衬底的第一表面上形成发射体层;在所述发射体层上形成绝缘层;在所述绝缘层上以特定图样形成化学化合物,该化学化合物包含与所述发射体层具有相同传导类型的掺杂剂;通过去除其上形成有化学化合物的绝缘层并扩散所述掺杂剂,形成高浓度发射体部分;去除所述化学化合物;以及形成被电连接到所述高浓度发射体部分的第一电极。 |
申请公布号 |
CN100587978C |
申请公布日期 |
2010.02.03 |
申请号 |
CN200610156357.4 |
申请日期 |
2006.12.29 |
申请人 |
三星SDI株式会社 |
发明人 |
朴相昱;金大园;赵银喆 |
分类号 |
H01L31/18(2006.01)I;H01L31/042(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/18(2006.01)I |
代理机构 |
北京德琦知识产权代理有限公司 |
代理人 |
陆 弋;王诚华 |
主权项 |
1、一种太阳能电池的制造方法,包括:在半导体衬底的第一表面上形成发射体层;在所述发射体层上形成绝缘层;在所述绝缘层上以特定图样施加化学化合物,该化学化合物包含与所述发射体层具有相同传导类型的掺杂剂;通过热退火处理用包含掺杂剂的化合物刻蚀所述绝缘层,以去除对应于所述化学化合物位置的所述绝缘层的部分,并将所述掺杂剂朝向所述发射体层扩散,从而形成高浓度发射体部分;去除所述化学化合物;以及形成被电连接到所述高浓度发射体部分的第一电极。 |
地址 |
韩国京畿道水原市 |