发明名称 太阳能电池及其制造方法
摘要 本发明提供一种太阳能电池的制造方法,该方法包括:在半导体衬底的第一表面上形成发射体层;在所述发射体层上形成绝缘层;在所述绝缘层上以特定图样形成化学化合物,该化学化合物包含与所述发射体层具有相同传导类型的掺杂剂;通过去除其上形成有化学化合物的绝缘层并扩散所述掺杂剂,形成高浓度发射体部分;去除所述化学化合物;以及形成被电连接到所述高浓度发射体部分的第一电极。
申请公布号 CN100587978C 申请公布日期 2010.02.03
申请号 CN200610156357.4 申请日期 2006.12.29
申请人 三星SDI株式会社 发明人 朴相昱;金大园;赵银喆
分类号 H01L31/18(2006.01)I;H01L31/042(2006.01)I 主分类号 H01L31/18(2006.01)I
代理机构 北京德琦知识产权代理有限公司 代理人 陆 弋;王诚华
主权项 1、一种太阳能电池的制造方法,包括:在半导体衬底的第一表面上形成发射体层;在所述发射体层上形成绝缘层;在所述绝缘层上以特定图样施加化学化合物,该化学化合物包含与所述发射体层具有相同传导类型的掺杂剂;通过热退火处理用包含掺杂剂的化合物刻蚀所述绝缘层,以去除对应于所述化学化合物位置的所述绝缘层的部分,并将所述掺杂剂朝向所述发射体层扩散,从而形成高浓度发射体部分;去除所述化学化合物;以及形成被电连接到所述高浓度发射体部分的第一电极。
地址 韩国京畿道水原市