| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 提供一种半导体器件及其制造方法，改善构成铁电电容器的电容器上部电极的结晶度。电容器上部电极包括：第一层57，由第一氧化物构成，使用组成参数x1来将该第一氧化物表示为化学式AO<sub>x1</sub>(A：金属元素)，使用组成参数x2来将该第一氧化物的实际组成表示为化学式AO<sub>x2</sub>；第二层58，由第二氧化物形成在第一层57上，使用组成参数y1来将该第二氧化物表示为化学式BO<sub>y1</sub>，使用组成参数y2来将该第二氧化物的实际组成表示为化学式BO<sub>y2</sub>(B：金属元素)，第二层58由石墙状或柱状的晶体构成，氧化比例比第一层高，并且组成参数x1、x2、y1及y2之间满足关系y2/y1＞x2/x1；第三层59，形成在第二层58上，并且由贵金属或含有贵金属的合金或者它们的氧化物构成。 | ||
| 申请公布号 | CN101641782A | 申请公布日期 | 2010.02.03 |
| 申请号 | CN200880006592.0 | 申请日期 | 2008.01.25 |
| 申请人 | 富士通微电子株式会社 | 发明人 | 王文生 |
| 分类号 | H01L21/8246(2006.01)I;H01L27/105(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8246(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 浦柏明;徐 恕 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，包括半导体衬底和形成在所述半导体衬底上的铁电电容器，其特征在于，所述铁电电容器包括下部电极、形成在所述下部电极上的铁电膜以及形成在所述铁电膜上的上部电极，所述上部电极包括：第一层，由第一氧化物构成，使用组成参数x1来将该第一氧化物表示为化学式AOx1，并且，使用组成参数x2来将该第一氧化物的实际组成表示为化学式AOx2，其中，A为金属元素，O为氧，第二层，由第二氧化物形成在所述第一层上，使用组成参数y1来将该第二氧化物表示为化学式BOy1，使用组成参数y2来将该第二氧化物的实际组成表示为化学式BOy2，其中，B为金属元素，所述第二层由石墙状或柱状的晶体构成，氧化比例比所述第一层高，并且所述组成参数x1、x2、y1以及y2之间满足关系y2/y1＞x2/x1。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||