| 发明名称 | 硅系绝缘膜的蚀刻后处理剂、半导体装置的制造方法以及半导体装置 | ||
| 摘要 | 本发明使用硅系绝缘膜的蚀刻后处理剂，该蚀刻后处理剂含有：由氨系碱和胺化合物组成的组中选出的至少一种含氮物质；酸；至少含有一种硅、碳和氢而成的含硅化合物；以及，任意的表面活性剂。根据本发明，能够抑制因蚀刻引起的硅系绝缘膜介电常数的增加。 | ||
| 申请公布号 | CN101641767A | 申请公布日期 | 2010.02.03 |
| 申请号 | CN200780052187.8 | 申请日期 | 2007.03.16 |
| 申请人 | 富士通株式会社 | 发明人 | 小林靖志;吉川浩太;中田义弘;今田忠纮;尾崎史朗 |
| 分类号 | H01L21/3065(2006.01)I;C09D9/00(2006.01)I;C11D9/36(2006.01)I;H01L21/304(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/3065(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 菅兴成;吴小瑛 |
| 主权项 | 1.一种硅系绝缘膜的蚀刻后处理剂，其含有：由氨系碱和胺化合物组成的组中选出的至少一种含氮物质；酸；以及，至少含有一种硅、碳和氢而成的含硅化合物。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||