| 发明名称 | 氮化硅膜和非易失性半导体存储器件 | ||
| 摘要 | 本发明提供氮化硅膜和非易失性半导体存储器件，其中氮化硅膜作为半导体存储器件的电荷蓄积层有用并且具有优良的电荷蓄积能力。具有在膜的厚度方向上大致均等的陷阱密度的氮化硅膜具有高电荷蓄积能力。该氮化硅膜通过等离子体CVD成膜，该等离子体CVD使用通过具有多个孔的平面天线(31)向腔室(1)内导入微波的等离子体处理装置(100)，向腔室(1)内导入包含含氮化合物和含硅化合物的原料气体，由微波产生等离子体，通过该等离子体使氮化硅膜淀积在被处理体的表面。 | ||
| 申请公布号 | CN101641783A | 申请公布日期 | 2010.02.03 |
| 申请号 | CN200880009852.X | 申请日期 | 2008.03.26 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社;国立大学法人广岛大学 | 发明人 | 宫崎诚一;鸿野真之;西田辰夫;中西敏雄;广田良浩 |
| 分类号 | H01L21/8247(2006.01)I;H01L21/31(2006.01)I;H01L21/318(2006.01)I;H01L27/115(2006.01)I;H01L29/788(2006.01)I;H01L29/792(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8247(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人 | 龙 淳 |
| 主权项 | 1.一种作为非易失性半导体存储器件的电荷蓄积层使用的氮化硅膜，其特征在于：膜中的陷阱的面密度在5×1010～1×1013cm-2eV-1的范围内。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||