发明名称 |
非易失存储器器件及其编程方法 |
摘要 |
编程非易失存储器器件包括识别数据缓冲器中用于存储多个阈值电压电平中特定一个的地址,每一个电平由唯一的信号模式表示,然后对与所识别的地址相关联的阵列存储器单元施加脉冲以将阵列存储器单元编程为所述特定的阈值电压电平。对每一个阈值电压电平重复进行识别和施加脉冲。随后校验每个阵列存储器单元是否被编程为正确表示该单元对应的信号模式的阈值电压电平。 |
申请公布号 |
CN100587841C |
申请公布日期 |
2010.02.03 |
申请号 |
CN02826781.8 |
申请日期 |
2002.12.31 |
申请人 |
英特尔公司 |
发明人 |
凯丽·特德罗;保罗·鲁比;丹尼尔·埃尔姆赫斯特 |
分类号 |
G11C11/56(2006.01)I;G11C16/02(2006.01)I;G11C16/34(2006.01)I |
主分类号 |
G11C11/56(2006.01)I |
代理机构 |
永新专利商标代理有限公司 |
代理人 |
王 英 |
主权项 |
1.一种用于对存储器件进行编程的方法,包括:通过定义在数据缓冲器中的地址子集和在所述数据缓冲器中的所述地址子集中确定每个电平状态的期望数目的单元来识别所述数据缓冲器中用于存储多个阈值电压电平中特定一个的地址,每一个所述阈值电压电平由唯一的信号模式表示;提供对所述期望数目的单元施加脉冲所需的足够电流;对与所述所识别的地址相关联的阵列存储器单元施加脉冲以对所述阵列存储器单元进行编程;对每一个所述阈值电压电平重复所述识别步骤和所述施加脉冲步骤;随后校验每个阵列存储器单元是否被编程为正确表示该单元对应的信号模式的阈值电压电平;增加所述阈值电压电平;使用所述增加的阈值电压电平对未正确编程的存储器单元重新施加脉冲;在每个阈值电压电平,重复进行所述增加步骤以及对未正确编程的存储器单元重新施加脉冲的步骤;以及随后重新校验每个阵列存储器单元是否被编程为正确表示所述对应的唯一信号模式的阈值电压电平。 |
地址 |
美国加利福尼亚州 |