具复数个浮置闸及一通道连接区域之非挥发性记忆体

摘要

一记忆体单元(110)包含复数个浮置闸(120L,120R)。通道区域(170)包含复数个次区域(220L,220R)与各自之浮置闸相邻，且包含位于浮置闸间的一连接区域(210)。连接区域具有与源极/汲极区域(160)相同的导电类型，以增加通道导电性。因此，即使浮置闸间的内闸极介电层(144)变厚，使控制闸极(104)的通道内电场减弱，浮置闸仍可靠近而放置在一起。

主权项

一种积体电路，其系包含：一包含一第一表面之半导体区，该半导体区于该第一表面包含一非挥发性记忆体(non-volatile memory)的二个源极/汲极区域，该二个源极/汲极区域系具一第一导电类型，且该二个源极/汲极区域系由一位于该半导体区内之通道区域所分离开；复数个导电浮置闸(floating gate)，形成于与该第一表面及该通道区域相邻之该半导体区上；一导电闸，压在该等浮置闸上；以及一介电层，使该浮置闸与该导电闸及该半导体区相隔离；其中该通道区域系包含：复数个通道次区域，其具一与该第一导电类型相反之第二导电类型，各该通道次区域系与一各自之该浮置闸相邻；以及一具该第一导电类型之连接区域，与该第一表面相邻，该连接区域使该等通道次区域中之二者互相连接，且状况(A)与状况(B)之至少一者为真：(A)该连接区域于该第一表面之净掺杂浓度较该二个源极/汲极区域之任一为低；(B)该连接区域较该二个源极/汲极区域之任一为浅。