半导体元件凹闸之制法

摘要

一种制造一半导体装置之方法，包含：形成一隔离结构于一基板中以界定一主动区；形成一凹槽遮罩图案于该隔离结构与主动区上；蚀刻该隔离结构藉由该凹槽遮罩图案曝光至一特定深度；蚀刻该基板以形成一凹槽图案；以及形成一闸极于凹槽图案上方。

主权项

一种制造一半导体装置之方法，该方法包含：形成一隔离结构于一基板中以界定一主动区；形成一凹槽遮罩图案于该隔离结构与主动区上方；蚀刻由凹槽遮罩图案所曝光之隔离结构至一特定深度；蚀刻该基板以形成一凹槽图案；以及形成一闸极于凹槽图案上方。