发明名称 用于打开碳基硬罩幕之制程
摘要 一种打开由非晶碳组成并且覆盖在一介电层(l6)上的碳基硬罩幕层(18)之方法,该非晶碳较佳地含有至少60%的碳以及介于10和40%间的氢。该硬罩幕系利用由氢气、氮气、和一氧化碳组成的蚀刻气体进行电浆蚀刻来打开。该蚀刻较佳地系在一电浆蚀刻反应器内执行,该电浆蚀刻反应器拥有一高频偏压的台座电极以及一电容超高频偏压的喷头。
申请公布号 TWI320203 申请公布日期 2010.02.01
申请号 TW095136106 申请日期 2006.09.28
申请人 应用材料股份有限公司 发明人 王乔蒂;宋兴利;马绍铭;朴百瑞
分类号 H01L21/3065 主分类号 H01L21/3065
代理机构 代理人 蔡坤财;李世章
主权项 一种蚀刻形成在一基材上并包含至少40原子百分比的碳之碳基层的方法,该方法至少包含将该碳基层暴露在一蚀刻气体的电浆下,其中该电浆含有氢气、氮气、和一氧化碳。
地址 美国