发明名称 用在低电源条件之半导体记忆元件及其操作方法
摘要 一种包含在半导体记忆元件中之装置,用以预充电位元线和反相位元线,然后感测并放大传送到位元线和反相位元线其中之一的资料,该装置包含用以预充电位元线和反相位元线成为接地电压之预充电方块;及藉由使用用以操作半导体记忆元件之核心电压,和具有高于核心电压之电压准位的高电压,感测并放大资料之感测放大方块。
申请公布号 TWI320185 申请公布日期 2010.02.01
申请号 TW093140179 申请日期 2004.12.23
申请人 海力士半导体股份有限公司 发明人 姜熙福;安进弘
分类号 G11C7/06 主分类号 G11C7/06
代理机构 代理人 何金涂
主权项 一种包含在半导体记忆元件中之装置,用以预充电位元线和反相位元线,及感测并放大传送到该位元线和该反相位元线其中之一的资料,其包含预充电装置,用以预充电该位元线和该反相位元线一接地电压;感测放大装置,藉由使用该接地电压与用以操作该半导体记忆元件之核心电压二者,或者该接地电压与具有高于该核心电压之电压准位的高电压二者,感测并放大资料;第一胞元阵列,输出由第一位址选择的第一胞元资料至该位元线;第一参考胞元阵列,输出参考讯号至该反相位元线;第二胞元阵列,输出由第二位址选择的第二胞元之资料至该反相位元线;及第二参考胞元阵列,输出参考讯号至该位元线。
地址 南韩