发明名称 | 保护层的形成方法 | ||
摘要 | 一种保护层的形成方法。此方法系先提供基底,此基底上已形成有复数个元件结构,且在这些元件结构上已形成有至少一内连线层。之后,于内连线层上形成图案化之金属层。接着,进行电浆加强型化学气相沈积制程,以于金属层上形成第一保护层,其中,此电浆加强型化学气相沈积制程之制程压力系大于知技术所使用之压力(或电源功率小于知之功率)。然后,于第一保护层上形成可以防止水气渗透之第二保护层。由于在形成第一保护层时所使用之制程压力较大(或电源功率较小),所以可以解决知在形成第一保护层时,因电浆轰击到金属层或元件结构,而造成金属层或元件结构损伤的问题。 | ||
申请公布号 | TWI320206 | 申请公布日期 | 2010.02.01 |
申请号 | TW092127267 | 申请日期 | 2003.10.02 |
申请人 | 南亚科技股份有限公司 | 发明人 | 罗名宏;周良宾;王俊闵;陈立夫 |
分类号 | H01L21/3205;H01L21/205 | 主分类号 | H01L21/3205 |
代理机构 | 代理人 | 詹铭文;萧锡清 | |
主权项 | 一种保护层的形成方法,包括:提供一基底,该基底上已形成有复数个元件结构,且在该些元件结构上已形成有至少一内连线层;于该内连线层上形成图案化之一金属层;进行一电浆加强型化学气相沈积制程,以于该金属层上形成一第一保护层,其中,该电浆加强型化学气相沈积制程之制程压力系介于9至25 Torr之间;以及于该第一保护层上形成可以防止水气渗透之一第二保护层。 | ||
地址 | 桃园县龟山乡华亚科技园区复兴三路669号 |