| 摘要 |
一种薄的射体全裹覆太阳能电池以及制作薄的射体全裹覆太阳能电池之方法。该电池优先包括一种厚度小于280微米之矽晶圆基底。该电池背侧面上之p-型区域予以最小化，其将集电极区域最大化并且降低或消除了该p-型区域钝化作用引致的应力，其系普通太阳能电池所需要者。本发明电池之效率在比普通电池厚度较小之处达到尖峰值。如此由价格低廉、较低品质的矽所制的薄膜晶圆即可用上，不会在效率上有显着的坏影响，而在成本上比其他太阳电池构型提供了大量优势。有通道通过基底，将基底前侧与背侧面上之射体层连接之；其可能由经过掺配之孔洞构成，或可选择替代者，可能是实心的而由一种以梯度-驱动过程迁移通过该基底而成之溶解物所构成。 |
