形成贯穿晶圆之交互连接的方法和以此所得之结构

摘要

揭示形成于半导体基板中之传导性通孔或贯穿晶圆之交互连接及产生贯穿晶圆之交互连接结构之方法。在本发明一实施例中，一种形成一贯穿晶圆之交互连接结构之方法包含以下动作：于一基板之第一表面中形成一开孔，在该开孔内部表面上沉积一第一绝缘或介电层，沉积一覆盖在该第一介电层上之电性传导层，在覆盖在该电性传导材料上之开孔内部表面上沉积一第二绝缘或介电层，及透过该基板之第二、相对表面曝露出一部分电性传导层。同时说明包含以本发明方法制造之贯穿晶圆之交互连接之半导体元件。

主权项

一种形成一贯穿晶圆之交互连接的方法，该方法包括：于一基板之第一表面中形成一盲孔；在该盲孔一内部表面上沉积一第一介电层；沉积一覆盖在该第一介电层上及覆盖在至少一位于该第一表面上之连结垫上之电性传导层；沉积一覆盖在该电性传导层上之第二介电层；及透过该基板之第二、相对表面曝露出一部分电性传导层。