金氧半电晶体的制造方法

摘要

一种金氧半电晶体的制造方法，首先于基底上形成图案化硬罩幕层，且图案化硬罩幕层中已形成有开口。接着，于开口中图案化硬罩幕层的侧壁上形成间隙壁。然后，对基底进行一个等向性蚀刻制程，而于基底中形成凹陷。接下来，以抑制氧化离子对凹陷下半部的基底进行一个离子植入制程。之后，移除间隙壁。继之，对基底进行热制程，以于凹陷中的基底表面形成闸氧化层，且凹陷上半部的闸氧化层的厚度大于凹陷下半部。

主权项

一种金氧半电晶体的制造方法，包括：于一基底上形成一图案化硬罩幕层，该图案化硬罩幕层中已形成有一开口；于该开口中该图案化硬罩幕层的侧壁上形成一间隙壁；以该图案化硬罩幕层及该间隙壁为罩幕，对该基底进行一等向性蚀刻制程，而于该基底中形成一凹陷(recess)；以该图案化硬罩幕层及该间隙壁为罩幕，以一抑制氧化离子对该凹陷下半部的该基底进行一离子植入制程；移除该间隙壁；以及对该基底进行一热制程，以于该凹陷中的该基底表面形成一闸氧化层，且该凹陷上半部的该闸氧化层的厚度大于该凹陷下半部的该闸氧化层的厚度。