多量子井结构的太阳能电池

摘要

一种多量子井结构的太阳能电池，主要为一矽基板、一成核层、一磊晶膜以及一抗反射膜；在具有精密调变能带间隙之氮化铟镓结构之p/MQW(i)/n+型半导体，包含降低矽基板与氮化镓之间的应力与缺陷之高温氮化碳矽成核层、以横向磊晶过生长技术形成表面粗糙化与抗反层等结构，这些结构可有效提升与调变氮化铟镓结构其p/MQW(i)/n+型半导体的各项物理特性，如增加光之转换效率，降低暗电流密度，可调变能带间隙与提升太阳光之反应光谱等优越特性。

主权项

一种多量子井结构的太阳能电池，包括：一矽基板；一成核层，以气相沉积法与横向磊晶过生长技术形成于该矽基板之上表面；一磊晶膜，位于该成核层之上；一抗反射膜，位于该磊晶膜之上。