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Procedimiento de realización de un láser semiconductor, que comprende, en una capa activa (4) de una estructura multicapa (11), una cinta estrecha, de guiado transversal por el índice de la cual una primera parte (7) es del tipo monomodal, con una anchura de algunos micrometros, terminando esta primera parte por una segunda (8) parte que se ensancha desde la primera parte, siendo la estructura multicapa (11) de este láser del tipo de confinamientos separados en un plano perpendicular a los planos de las capas y comprendiendo una capa activa de al menos un pozo cuántico, y que comprende las etapas siguientes: crecimiento epitaxial de un sustrato en las zonas que borden exteriormente los conductos y de las capas de la estructura multicapa (11); depósito de un primer contacto óhmico (12) sobre la capa superior de la indicada estructura; fotolitografía y grabado en las capas superficiales de la indicada estructura (11) de dos conductos (5, 6) que definen entre sí las indicadas primera y segunda partes de la cinta estrecha; depósito de un segundo contacto óhmico (13) sobre la superficie inferior del sustrato; caracterizado por el hecho de que comprende a continuación las etapas siguientes: - depósito de polímero (14) en los conductos; - fotolitografía en la superficie superior del primer contacto óhmico con la ayuda de una resina fotosensible, que deja subsistir la resina (15A) por encima de una zona comprendida entre los dos conductos; - implantación de protones (9) a través de la capa del primer contacto en las zonas que bordean exteriormente los conductos, impidiendo la capa de resina la implantación en la zona que cubre; - depósito de un electrodo (15) sobre la superficie superior del conjunto.
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