Verfahren zum Herstellen eines III-V-Verbindungshalbleiter-Substrats, Verfahren zum Herstellen eines Epitaxial-Wafers, III-V-Verbindungshalbleiter-Substrat und Epitaxial-Wafer

摘要

Die vorliegende Erfindung schafft ein Verfahren zum Herstellen eines III-V-Verbindungshalbleiter-Substrats, ein Verfahren zum Herstellen eines Epitaxial-Wafers, ein III-V-Verbindungshalbleiter-Substrat und einen Epitaxial-Wafer, wobei die Dicke eines auf dem Substrat oder in dem Wafer ausgebildeten Oxidfilms mit hoher Genauigkeit gesteuert wird und verhindert wird, dass eine Oberfläche des Epitaxial-Wafers rau wird. Das Verfahren zum Herstellen eines III-V-Verbindungshalbleiter-Substrats gemäß der vorliegenden Erfindung schließt die im Folgenden aufgeführten Schritte ein. Zunächst wird ein Substrat geschaffen, das aus einem III-V-Verbindungshalbleiter-Substrat besteht. Danach wird das resultierende Substrat mit einer sauren Lösung gereinigt. Anschließend wird nach dem Reinigen ein Oxidfilm auf dem Substrat mit einem Nass-Verfahren ausgebildet.