Komplexe mit kleinen Singulett-Triplett-Energie-Abständen zur Verwendung in opto-elektronischen Bauteilen (Singulett-Harvesting-Effekt)

摘要

Die Erfindung betrifft die Verwendung eines mehrkernigen Metall- oder Übergangsmetall-Komplexes, der einen kleinen DeltaE-Abstand, insbesondere zwischen 50 cm-1 und 2000 cm-1, zwischen dem untersten Triplett-Zustand und dem darüber liegenden und über thermische Rückbesetzung aus dem Triplett besetzten Singulett-Zustand aufweist, in einer organischen elektronischen Vorrichtung. Die Erfindung betrifft auch die Verwendung der starken Absorptionen derartiger mehrkerniger Metallkomplexe, insbesondere in OSCs.