| 发明名称 | 结晶组合物、晶片和半导体结构 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种结晶组合物。所述结晶组合物可以包含镓和氮；并且所述结晶组合物可以具有在约3175cm<sup>-1</sup>处的红外吸收峰，且具有大于约0.01cm<sup>-1</sup>的单位厚度吸收率。 | ||
| 申请公布号 | CN101631902A | 申请公布日期 | 2010.01.20 |
| 申请号 | CN200880007681.7 | 申请日期 | 2008.01.09 |
| 申请人 | 莫门蒂夫性能材料股份有限公司 | 发明人 | 马克·P·德维林;朴东实;史蒂文·F·勒波伊夫;拉里·B·劳兰德;克里斯蒂·J·纳兰;洪慧聪;斯蒂芬·D·阿瑟;彼得·M·桑德维克 |
| 分类号 | C30B29/40(2006.01)I;C30B9/00(2006.01)I | 主分类号 | C30B29/40(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 王国祥 |
| 主权项 | 1.一种结晶组合物，其包含镓和氮；并且所述结晶组合物具有在约3175cm-1处的红外吸收峰，且具有大于约0.01cm-1的单位厚度吸收率。 | ||
| 地址 | 美国康涅狄格州 | ||