发明名称 |
透光单晶硅太阳电池的制造方法 |
摘要 |
本发明公开用于光伏-建筑一体化的透光单晶硅太阳电池的制造方法,包括将单晶硅棒分段,切割透光孔,腐蚀透光孔壁,扩散制得p-n结,去除晶片周边和透光孔周围的扩散层,去除磷硅玻璃,制减反射膜,制作电极,成为具有透光孔的单晶硅太阳能电池,用于制造双玻璃光伏-建筑组件太阳能电池之间可以相接而不留透光间隙,由透光孔实现透光,使双玻璃光伏-建筑组件较为美观,在光伏-建筑一体化(BIPV)领域可以得到大规模的商业应用。 |
申请公布号 |
CN100583467C |
申请公布日期 |
2010.01.20 |
申请号 |
CN200810220602.2 |
申请日期 |
2008.12.25 |
申请人 |
广东金刚玻璃科技股份有限公司 |
发明人 |
庄大建;郑鸿生;林汉德;张乐军;肖坚伟;沈忠灿;洪晓东;邱速希;蔡岳涛;郑新玲 |
分类号 |
H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/18(2006.01)I |
代理机构 |
汕头市高科专利事务所 |
代理人 |
王少明 |
主权项 |
1.透光单晶硅太阳电池的制造方法,其特征在于,包括以下步骤:A.将单晶硅棒分切成长度小于或等于160mm的硅柱,在氦气、氖气或氩气保护气氛中,根据透光孔的尺寸和布置要求,用激光或高压水刀对硅柱切割透光孔,用1~10wt%的NaOH水溶液腐蚀透光孔壁上30~70μm的损伤层;B.将已经切割透光孔的硅柱切割成晶片,经表面研磨,绒化处理后,进行磷扩散形成n型层,与p型硅基底组成p-n结;C.刻蚀去除晶片周边和透光孔周围0.2~0.8mm的扩散层;D.腐蚀去除磷硅玻璃,制减反射膜;E.制作电极,成为具有透光孔的单晶硅太阳能电池。 |
地址 |
515061广东省汕头市金平区大学路叠金工业区 |