| 发明名称 | AIN单晶的制造方法以及AIN单晶 | ||
| 摘要 | 通过在含氮的气氛中对至少含有镓、铝和钠的熔液进行加压，培养AlN单晶。优选的是，在氮分压为50个大气压以下培养AlN单晶，此外，在850℃～1200℃的温度下培养AlN单晶。 | ||
| 申请公布号 | CN100582324C | 申请公布日期 | 2010.01.20 |
| 申请号 | CN200580027729.7 | 申请日期 | 2005.09.05 |
| 申请人 | 日本碍子株式会社 | 发明人 | 岩井真;今井克宏 |
| 分类号 | C30B29/38(2006.01)I;C30B11/06(2006.01)I | 主分类号 | C30B29/38(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人 | 葛松生 |
| 主权项 | 1.AlN单晶的制造方法，其特征在于，通过在含有氮且氮分压为1个大气压～50个大气压的气氛中对至少含有镓、铝和钠的熔液进行加压，培养AlN单晶。 | ||
| 地址 | 日本爱知县 | ||