| 摘要 |
Электронно-оптический преобразователь, содержащий фотокатод на основе GaAs-гетероэпитаксиальной структуры, микроканальную пластину, экран, источник питания, отличающийся тем, что GaAs-гетероэпитаксиальная структура выполнена с буферным слоем толщиной 50-150 Å, а источник питания выполнен импульсным. |
