形成具有铜互连的导电凸块的方法和系统

摘要

本发明提供具有一个或多个铜互连的集成电路系统。所述一个或多个铜互连与衬底导电接触。所述集成电路系统包括第一介电层、和填充穿过第一介电层的第一通孔的铜材料。另外，所述集成电路系统包括与第一介电层接触的第二介电层、和扩散阻挡层。扩散阻挡层至少部分填充穿过第二介电层的第二通孔。扩散阻挡层的至少第一部分与铜材料直接接触，并且扩散阻挡层的至少第二部分与第二介电层直接接触。此外，所述集成电路系统包括至少部分填充第二通孔的金材料。金材料通过扩散阻挡层与铜材料导电连接，并且与衬底导电连接。此外，还提供一种制备这种具有一个或多个铜互连的集成电路系统的方法。

主权项

1.一种具有一个或多个铜互连的集成电路系统，所述一个或多个铜互连与衬底导电接触，所述集成电路系统包括：第一介电层；填充穿过所述第一介电层的第一通孔的铜材料；与所述第一介质层接触的第二介电层；扩散阻挡层，所述扩散阻挡层至少部分填充穿过所述第二介电层的第二通孔，所述扩散阻挡层的至少第一部分与所述铜材料直接接触，所述扩散阻挡层的至少第二部分与所述第二介电层直接接触；和至少部分填充所述第二通孔的金材料，所述金材料通过所述扩散阻挡层与所述铜材料导电连接并且与所述衬底导电连接。