发明名称 用于集成电路制造的曝光系统的校正方法和系统
摘要 一种用于集成电路制造的曝光系统的校正方法和系统,根据实施例,本发明提供了一种确定曝光系统的一个或者多个聚焦参数的方法。作为一个实例,所述曝光系统用于在半导体晶圆上形成图形,所述方法包括提供半导体晶圆,所述半导体晶圆具有一定的直径;所述方法还包括使用曝光系统在半导体晶圆上形成多个图形,作为一个实例,每一个图形和一个聚焦参考数值相关联(例如,聚焦距离、聚焦角度等);所述方法还包括确定多个偏移轮廓,每个偏移轮廓和每一个图形相关联。
申请公布号 CN101630126A 申请公布日期 2010.01.20
申请号 CN200810040571.2 申请日期 2008.07.15
申请人 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 发明人 傅君豪;陈自凡
分类号 G03F7/20(2006.01)I;H01L21/027(2006.01)I 主分类号 G03F7/20(2006.01)I
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人 李 丽
主权项 1.一种确定用于曝光系统的一个或者多个聚焦参数的方法,所述曝光系统用于在半导体晶圆上形成图形,所述方法包括:提供半导体晶圆,所述半导体晶圆具有一定的直径;使用曝光系统在所述半导体晶圆上形成多个图形,所述多个图形中的每个与聚焦参考数值相关联;确定多个偏移轮廓,每个偏移轮廓与所述多个图形中的一个相关联;根据所述多个偏移轮廓从所述多个图形中选取第一图形;根据所述第一图形确定用于所述曝光系统的聚焦参数。
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