| 发明名称 | 集成肋片式红外半导体激光器结构 | ||
| 摘要 | 一种集成肋片式红外半导体激光器结构，其特征在于，该结构包括：一脊形区；一集成肋片式结构，该集成肋片式结构制作在脊形区上面的中间位置；两包覆散热区，该两包覆散热区制作在脊形区上面、集成肋片式结构的两侧；上、下欧姆接触层，该上欧姆接触层制作在集成肋片式结构和两包覆散热区的上表面；该下欧姆接触层制作在脊形区的下表面。 | ||
| 申请公布号 | CN101630812A | 申请公布日期 | 2010.01.20 |
| 申请号 | CN200810116832.4 | 申请日期 | 2008.07.18 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 刘俊岐;刘峰奇;李路;王利军;王占国 |
| 分类号 | H01S5/22(2006.01)I;H01S5/024(2006.01)I;H01S5/34(2006.01)I;H01S5/026(2006.01)I | 主分类号 | H01S5/22(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汤保平 |
| 主权项 | 1、一种集成肋片式红外半导体激光器结构，其特征在于，该结构包括：一脊形区；一集成肋片式结构，该集成肋片式结构制作在脊形区上面的中间位置；两包覆散热区，该两包覆散热区制作在脊形区上面、集成肋片式结构的两侧；上、下欧姆接触层，该上欧姆接触层制作在集成肋片式结构和两包覆散热区的上表面；该下欧姆接触层制作在脊形区的下表面。 | ||
| 地址 | 100083北京市海淀区清华东路甲35号 | ||