一种曝光方法及曝光处理装置

摘要

提供一种监测方法，可以高精度地测定微细图形加工尺寸。该监测方法包括以下步骤：在衬底膜(2)上形成至少一边有对衬底膜(2)的表面倾斜的倾斜侧壁(20)的监测抗蚀剂图形(13)，测定与倾斜侧壁(20)和衬底膜相交方向垂直的方向上的监测抗蚀剂图形(13)的宽度；以监测抗蚀剂图形(13)作为掩模，选择性腐蚀衬底膜(2)来形成监测衬底膜图形(12)，测定与倾斜侧壁(20)和衬底膜相交方向垂直的方向上的所述监测衬底膜图形(12)的宽度；以及根据监测抗蚀剂图形(13)的宽度和监测衬底膜图形(12)的宽度之差，获得偏移宽度Δs。

主权项

1.一种曝光方法，其特征在于，包括：将半导体衬底区分为多个曝光区域的步骤；以及按所述半导体衬底的位置坐标函数来近似设定所述多个曝光区域的曝光量的步骤，所述函数是通过将半导体衬底区分为规定的曝光区域进行曝光，形成图形，对每个所述曝光区域测定所述图形的偏移宽度所获得的偏移宽度分布来计算的，是所述半导体衬底的位置坐标的2次或以上的n次多项式，所述图形是至少一边具有对所述半导体衬底的表面倾斜的倾斜侧壁的监测抗蚀剂图形，所述图形的偏移宽度是所述监测抗蚀剂图形与监测衬底膜图形的宽度的差值，所述监测衬底膜图形是将所述监测抗蚀剂图形作为掩模进行选择性腐蚀所形成的。