发明名称 磁场下制备硅太阳能电池绒面的方法
摘要 本发明公开了一种磁场下制备硅太阳能电池绒面的方法,具有以下工艺步骤:首先,将多晶硅片放入配好酸性反应液的绒面制备反应器中使其反应,同时将绒面制备反应器放置于磁场中,反应液的配比为:硝酸或铬酸质量百分数为0.05%~15%,氢氟酸的质量百分数为1%~30%,磷酸或醋酸的质量百分数为1%~30%;反应液的温度保持在0℃~30℃,多晶硅片在酸性溶液中反应结束后,在0.5%~3%的氢氧化钠溶液中清洗1~5分钟;其次,磁场施加于多晶硅太阳能电池绒面制备的整个阶段,磁场强度保持在0~10T,绒面制备时间1~45分钟。通过该方法可以在多晶硅片表面生长致密均匀的绒面,从而实现磁场下酸性氧化剂多晶硅太阳电池绒面的高效均匀产生。
申请公布号 CN100583465C 申请公布日期 2010.01.20
申请号 CN200810202925.9 申请日期 2008.11.19
申请人 张根发 发明人 张根发;苏青峰;韩新江;杨文平
分类号 H01L31/18(2006.01)I;H01L21/00(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01L21/306(2006.01)I;C23F1/24(2006.01)I 主分类号 H01L31/18(2006.01)I
代理机构 上海金盛协力知识产权代理有限公司 代理人 杜林雪
主权项 1.一种磁场下制备硅太阳能电池绒面的方法,其特征在于:采用磁场下酸性氧化剂化学腐蚀的方法在多晶硅片表面生长致密的绒面,该方法具有以下工艺步骤:a.将多晶硅片放入配好反应液的绒面制备反应器中使其反应,同时将绒面制备反应器放置于磁场中,所述反应液的配比为:硝酸或铬酸的质量百分数为0.05%~15%,氢氟酸的质量百分数为1%~30%,醋酸或磷酸的质量百分数为1%~30%;反应液的温度保持在0℃~30℃;b.磁场施加于多晶硅太阳能电池绒面制备的整个阶段,磁场强度保持在10T以下,绒面制备时间1~45分钟;c.多晶硅片在酸性溶液中反应结束后,在0.5%~3%的氢氧化钠溶液中清洗1~5分钟。
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