发明名称 记忆体动态管理方法
摘要 本发明是有关于一种记忆体动态管理方法,其是适用于一可携式储存装置中,主要特征是包括下列步骤。首先,读取储存于该可携式储存装置的使用模式对照表,检查目前记录使用模式的标签为第k级,并确认该保留区的最大容许坏轨量,其中1≤k≤n;接着,读取该保留区中的坏轨数量。检查该保留区中的坏轨数量是否大于最大容许坏轨量,若是,更进一步检查k是否等于n,若否,修改使用模式,修改该标签由第k级至第k+1级。本发明藉由以软件程式动态地修改可携式储存装置的储存空间,可有效解决现有的可携式储存装置中保留区的固定空间,只能容纳一定坏轨数量,无法根据可携式储存装置中的坏轨数量来动态地更改保留区的问题,而可使该可携式储存装置的使用效能达到最佳化。
申请公布号 CN100583301C 申请公布日期 2010.01.20
申请号 CN200610079098.X 申请日期 2006.04.29
申请人 宇瞻科技股份有限公司 发明人 许昌伟;吴濬杰
分类号 G11C29/52(2006.01)I 主分类号 G11C29/52(2006.01)I
代理机构 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 代理人 寿 宁;张华辉
主权项 1、一种记忆体动态管理方法,其特征在于其是适用于一可携式储存装置,该可携式储存装置包括一以快闪记忆体为主的第一储存单元及一第二储存单元,该第一储存单元包括一用以存放坏轨的保留区,该第二储存单元具有一使用模式对照表,该使用模式对照表具有n级使用模式,该n为正整数;其中各该级定义有该保留区的最大容许坏轨量,该保留区具有一记录目前使用模式的标签,该记忆体动态管理方法包括下列步骤:a.读取该可携式储存装置的使用模式对照表,检查目前该标签的使用模式为第k级,以确认该保留区的最大容许坏轨数量,其中1≤k≤n;b.读取该保留区中的坏轨数量;以及c.当该保留区中的坏轨数量大于该第k级模式定义的最大容许坏轨量时,更进一步检查k是否等于n,若否,修改使用模式,使记录坏轨的标签由第k级改至第k+1级。
地址 中国台湾台北县