| 发明名称 | 用于蚀刻微机电系统的装备及方法 | ||
| 摘要 | 本文中揭示用于更有效地从永久性MEMS结构之间蚀刻牺牲材料的蚀刻装备及方法。蚀刻头包括细长蚀刻剂入口结构，其可以是槽形或若干入口孔的细长分布。以如下方式将衬底支撑于接近所述蚀刻头处：界定大致平行于所述衬底面的流动路径并准许相对运动以使所述蚀刻头跨越所述衬底进行扫描。 | ||
| 申请公布号 | CN101632150A | 申请公布日期 | 2010.01.20 |
| 申请号 | CN200880005644.2 | 申请日期 | 2008.02.18 |
| 申请人 | 高通MEMS科技公司 | 发明人 | 胡尔希德·赛义德·阿拉姆;戴维·希尔德 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 刘国伟 |
| 主权项 | 1、一种用于蚀刻微机电系统(MEMS)装置的方法，其包含：提供衬底，其包含形成在其表面上的MEMS装置，其中所述MEMS装置包含牺牲材料；相对地移动蚀刻气体入口及所述衬底；通过所述蚀刻气体入口在所述MEMS装置的表面处引导包含气相蚀刻剂的气体流；及从所述MEMS选择性地蚀刻所述牺牲材料的至少一部分。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||