发明名称 封装的金属电阻器
摘要 本方法提供了一种半导体结构和用于形成该结构的方法,其保护在结构内形成的电阻性层免受来自相邻层的污染的影响。通过把电阻性层封装在抗拒污染物扩散的材料中,有可能在制造该结构所需的处理期间保护电阻性材料。
申请公布号 CN101632174A 申请公布日期 2010.01.20
申请号 CN200780047348.4 申请日期 2007.10.17
申请人 模拟装置公司 发明人 伯纳德·P·斯滕松;埃蒙·海因斯;威廉·莱恩
分类号 H01L23/522(2006.01)I 主分类号 H01L23/522(2006.01)I
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人 王 萍;陈 炜
主权项 1.一种多层半导体结构,包括形成为所述结构内的中间层的金属膜电阻性元件,所述电阻性元件被封装在阻挡材料内,所述阻挡材料保护所述电阻性元件不受来自相邻层的污染物的扩散的影响。
地址 美国马萨诸塞州