| 发明名称 | 混合硅太阳电池及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种太阳电池，在该太阳电池中，非晶半导体层(15)位于晶体硅结构的背面上以形成异质结。第一接触结构与晶体层(14)接触，而第二接触结构与非晶半导体层(15)接触。本发明还提供一种形成异质结太阳电池的方法，在该方法中，掺杂的非晶半导体层(15)形成在相反掺杂的晶体硅层(14)上，与该晶体硅层(14)形成背面异质结。随后形成背面接触(16)，与非晶半导体层(15)接触，并且在需要与晶体硅层(14)形成金属接触的位置处形成与晶体硅层(14)相同传导类型的重掺杂区(13)，以便于与随后形成的金属接触(10)接触。 | ||
| 申请公布号 | CN101632180A | 申请公布日期 | 2010.01.20 |
| 申请号 | CN200780051088.8 | 申请日期 | 2007.02.08 |
| 申请人 | 无锡尚德太阳能电力有限公司 | 发明人 | 施正荣;王体虎 |
| 分类号 | H01L31/042(2006.01)I;H01L31/072(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/042(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 梁晓广;关兆辉 |
| 主权项 | 1.一种太阳电池，包括：i)晶体硅层，其具有前光接收表面和背面；ii)非晶半导体层，在所述晶体硅层的背面与所述晶体硅层形成异质结；iii)与所述晶体硅层接触的第一接触结构以及与所述非晶层接触的第二接触结构。 | ||
| 地址 | 214028中国江苏无锡新区长江南路17-6 | ||